BCP55

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ÿ SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors BCP54,55,56 SOT-223 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z For AF driver and output stages z High collector current z Low collector-emitter saturation voltage z Complementary types: BCP51 ... BCP53 (PNP) 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter BC...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC637-TA (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ BC639 (JSCJ)
 

BC639 (ONS-FAIR)
TO-92-3 2000 шт
A+ BCP56 (JSCJ)
 

BCP56 (ONS-FAIR)
SOT-223 в ленте 2500 шт
A+ BCP56-16 (JSCJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
A+ BCX56 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ BCX56-16 (JSCJ)
 
в ленте 1000 шт
 
A+ FMMT495 (JSCJ)
 

FMMT495 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ MPS651 (JSCJ)
 

MPS651 (DIODES)
TO-92-3 2000 шт
A+ BCX56-16Q (YJ)
 
SOT-89
A+ MPS651-TA (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ 2SC3303 (JSCJ)
 
TO-251-3L
 
A+ 2SC3303 TO-252-2L (JSCJ)
 
TO2522L
 
A+ 2SD1616A (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
A+ 2SD1616A TO-92 (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ BCP55-10 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ BCP55-16 (JSCJ)
 
A+ BCP56-16 100-250 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ FMMT491 (JSCJ)
 

FMMT491 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT491 100-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ FMMT491 SOT-23 100-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ÿ SOT-223(8R) Plastic-Encapsulate Transistors BCP54,55,56 SOT-223 TRANSISTOR (NPN) FEATURES z For AF driver and output stages z High collector current z Low collector-emitter saturation voltage z Complementary types: BCP51 ... BCP53 (PNP) 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter BCP54 BCP55 BCP56 Unit VCBO Collector-Base Voltage 45 60 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 60 80 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1 A ICM Peak Pulse Collector Current 2 A IB Base Current-Continuous 100 mA IBM Peak Pulse Base Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 1.5 W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ RθJA Thermal Resistance Junction to Ambient 83.3 ℃/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Collector-base breakdown voltage Min V(BR)CBO IC= 0.1mA,IE=0 100 BCP54 45 V(BR)CEO V V 60 IC= 10mA,IB=0 80 BCP56 V(BR)EBO Base-emitter breakdown voltage Unit 60 BCP56 BCP55 Max 45 BCP54 BCP55 Collector-emitter breakdown voltage Test conditions IE = 10μA,IC=0 5 V ICBO VCB= 30 V, IE=0 hFE(1) VCE= 2V, IC=5mA 25 hFE(2) VCE= 2V, IC=150m A 63 hFE(3) VCE= 2V, IC=500m A 25 VCE(sat) IC=500mA,IB=50mA 0.5 V Base-emitter voltage VBE VCE=2V, IC=500m A 1 V Transition frequency fT Collector cut-off current DC current gain Collector-emitter saturation voltage 100 VCE=10V,IC=50mA,f=100MHz 100 nA 250 MHz CLASSIFICATION OF hFE(2) Rank Range Marking www.jscj-elec.com BCP54-10, BCP55-10, BCP56-10 BCP54-16, BCP55-16, BCP56-16 63-160 100-250 BCP54-10, BCP55-10, BCP56-10 BCP54-16, BCP55-16, BCP56-16 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на BCP54 

Microsoft Word - MMBT5551 SOT-23美的.doc

Дата модификации: 29.12.2020

Размер: 1.2 Мб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.