CJ3139KDW

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ3139KDW Dual P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS   m       SOT-363 ID RDS(on)MAX A 95m（TYP） -18 GENERRAL DESCRIPTION This Dual P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). Including two P-ch CJ3139K MOSFET (independe...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJ3139KDW

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-363 Plastic-Encapsulate MOSFETs CJ3139KDW Dual P-Channel Power MOSFET V(BR)DSS   m       SOT-363 ID RDS(on)MAX A 95m（TYP） -18 GENERRAL DESCRIPTION This Dual P-Channel MOSFET has been designed using advanced Power Trench process to optimize the RDS(ON). Including two P-ch CJ3139K MOSFET (independently) in a package. APPLICATION z Drivers:Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories z Battery Operated Systems z Power Supply Converter Circuits z Load/Power Switching Cell Phones, Pagers FEATURE z High-Side Switching z Low On-Resistance z Low Threshold z Fast Switching Speed MARKING Equivalent Circuit D1 6 39K=Device code G2 5 S2 4 Solid dot1=Pin1 indicator Solid dot2= Green molding compound device,if none,the normal 1 2 device 1 S1 2 G1 3 D2 Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Drain-Source voltage VDSS -20 Typical Gate-Source Voltage VGS ±12 Drain Current-Continuous ID(DC) -0.66 IDM(pulse) -2.64 PD 150 mW RθJA 833 ℃/W Storage Temperature Tj 150 Junction Temperature Tstg -55 ~+150 Drain Current -Pulsed(note1) Power Dissipation (note 2) Thermal Resistance from Junction to Ambient Unit V A ℃ B Nov www.jscj-elec.com 1 3 Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJ3139KDW 

Microsoft Word - CJ3139KDW_SOT-363_ A.doc

Дата модификации: 02.06.2021

Размер: 553.3 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 февраля 2024
    новость

    Транзисторы и MOSFET-сборки JSCJ поступили на склад КОМПЭЛ

    Китайская компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) с 2018 года специализируется на исследованиях, разработках, выпуске и продаже полупроводников. Этот производитель поставляет на рынок качественные и надежные пластины и готовые... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)