CJ3415

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3415 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS SOT-23 ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V 60mΩ@-2.5V -20 V -4A 1. GATE 100mΩ@-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE z Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages MARKING APPLICATION z Load switch and in PWM applicatopns Equivalent Circuit D G S R15=Device co...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3415 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS SOT-23 ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V 60mΩ@-2.5V -20 V -4A 1. GATE 100mΩ@-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE z Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages MARKING APPLICATION z Load switch and in PWM applicatopns Equivalent Circuit D G S R15=Device code Solid dot = Green molding compound device. Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current (t≤10s) ID -4.0 A Maximum Power Dissipation (note4) PD 1.3 W Thermal Resistance from Junction to Ambient(note4) RθJA 96.2 ℃/W Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 ~+150 ℃ www.jscj-elec.com 1 V Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJ3415 R15 

Microsoft Word - CJ3415_SOT-23_.doc

Дата модификации: 19.04.2023

Размер: 708.7 Кб

5 стр.

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3415 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS SOT-23 ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V 60mΩ@-2.5V -20 V -4A 1. GATE 100mΩ@-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE z Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages MARKING APPLICATION z Load switch and in PWM applicatopns Equivalent Circuit D G S R15=Device code Solid dot = Green molding compound device,if none, the normal device Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current (t≤10s) ID -4.0 A Maximum Power Dissipation (note4) PD 1.3 W Thermal Resistance from Junction to Ambient(note4) RθJA 96.2 ℃/W Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 ~+150 ℃ www.jscj-elec.com 1 V Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJ3415 

Microsoft Word - CJ3415_SOT-23_.doc

Дата модификации: 21.04.2021

Размер: 667.1 Кб

5 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    17 июля 2023
    новость

    Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

    Сегодня мы уже практически не представляем себе жизнь без электричества. Количество разнообразной бытовой техники и электроники неуклонно растет. Грамотное управление потреблением энергии – залог не только бесперебойной работы энергосети в целом,... ...читать

    19 мая 2023
    новость

    Продукция JSCJ для автономных источников питания

    При отключении электроэнергии или в местах отсутствия сетей электроснабжения обеспечить питанием различное оборудование, освещение и зарядить мобильные устройства возможно от автономных источников питания с инвертером. Схематичное устройство... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)