CJ3415

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3415 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS SOT-23 ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V 60mΩ@-2.5V -20 V -4A 1. GATE 100mΩ@-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE z Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages MARKING APPLICATION z Load switch and in PWM applicatopns Equivalent Circuit D G S R15=Device co...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3415 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS SOT-23 ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V 60mΩ@-2.5V -20 V -4A 1. GATE 100mΩ@-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE z Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages MARKING APPLICATION z Load switch and in PWM applicatopns Equivalent Circuit D G S R15=Device code Solid dot = Green molding compound device. Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current (t≤10s) ID -4.0 A Maximum Power Dissipation (note4) PD 1.3 W Thermal Resistance from Junction to Ambient(note4) RθJA 96.2 ℃/W Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 ~+150 ℃ www.jscj-elec.com 1 V Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJ3415 R15 

Microsoft Word - CJ3415_SOT-23_.doc

Дата модификации: 19.04.2023

Размер: 708.7 Кб

5 стр.

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJ3415 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET V(BR)DSS SOT-23 ID RDS(on)MAX 50mΩ@-4.5V 60mΩ@-2.5V -20 V -4A 1. GATE 100mΩ@-1.8V 2. SOURCE 3. DRAIN FEATURE z Excellent RDS(ON), low gate charge,low gate voltages MARKING APPLICATION z Load switch and in PWM applicatopns Equivalent Circuit D G S R15=Device code Solid dot = Green molding compound device,if none, the normal device Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current (t≤10s) ID -4.0 A Maximum Power Dissipation (note4) PD 1.3 W Thermal Resistance from Junction to Ambient(note4) RθJA 96.2 ℃/W Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 ~+150 ℃ www.jscj-elec.com 1 V Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJ3415 

Microsoft Word - CJ3415_SOT-23_.doc

Дата модификации: 21.04.2021

Размер: 667.1 Кб

5 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    17 июля 2023
    новость

    Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

    Сегодня мы уже практически не представляем себе жизнь без электричества. Количество разнообразной бытовой техники и электроники неуклонно растет. Грамотное управление потреблением энергии – залог не только бесперебойной работы энергосети в целом,... ...читать

    19 мая 2023
    новость

    Продукция JSCJ для автономных источников питания

    При отключении электроэнергии или в местах отсутствия сетей электроснабжения обеспечить питанием различное оборудование, освещение и зарядить мобильные устройства возможно от автономных источников питания с инвертером. Схематичное устройство... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)