CJ8209SP

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CSP Enhancement Mode Power MOSFET CJ8209SP Dual N-Channel MOSFET VSSS RSS(o n)TYP IS CSPC2624-10 1.2mΩ@4.5V 7 1.3mΩ@3.8V 12V 17A 1.5mΩ@3.1V 6 4 8 3 9 1.6mΩ@2.75V 2 10 1.8mΩ@2.5V 5 1 DESCRIPTION The CJ8209SP uses advanced trench technology to provide excellent RSS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJ8209SP

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CSP Enhancement Mode Power MOSFET CJ8209SP Dual N-Channel MOSFET VSSS RSS(o n)TYP IS CSPC2624-10 1.2mΩ@4.5V 7 1.3mΩ@3.8V 12V 17A 1.5mΩ@3.1V 6 4 8 3 9 1.6mΩ@2.75V 2 10 1.8mΩ@2.5V 5 1 DESCRIPTION The CJ8209SP uses advanced trench technology to provide excellent RSS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 8V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a unidirectional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Marking and pin assignment Equivalent Circuit 4 7 8209 YYMMX 8 3 9 2 5 6 Topside view 5 1 10 6 G2 G1 Backside view Marking: 1. 8209: Product Code 2. YYMMX: Date Code 3. Solid dot: Pin 1 1,2,3,4 Source1 7, 8, 9, 10 5 6 Source2 Gate1 Gate2 1 2 3 4 S1 S1 S1 S1 7 8 9 10 S2 S2 S2 S2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Source to Source Voltage VSSS 12 V Gate-Source Voltage VGSS ±8 V Source Current(DC) IS ① 17 A Source Current (Pulsed) ISP① ② 170 A Total Power Dissipation PT ① 1.56 W Channel Temperature Tch 150 ℃ Storage Temperature Range TSTG -55 To 150 ℃ www.jscj-elec.com 1 Rev.-1.4 PDF
Документация на CJ8209SP 

Author: Administrator

Дата модификации: 17.09.2021

Размер: 4.41 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    05 мая 2023
    новость

    Сборки MOSFET-транзисторов JSCJ для схемы защиты литий-ионных аккумуляторов

    Развитие рынка литиевых источников питания требует реакции и от рынка полупроводниковых компонентов, предназначенных для модулей зарядки, контроля и защиты аккумуляторов. На рисунке 1 показана типовая схема защиты от перенапряжения, перегрузки,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)