Сборки MOSFET-транзисторов JSCJ для схемы защиты литий-ионных аккумуляторов

5 мая 2023

терминалы продажуправление питаниемпотребительская электроникаинтернет вещейJSCJновостьдискретные полупроводникиMOSFETLi-IonBMSлитиевые аккумуляторы

Развитие рынка литиевых источников питания требует реакции и от рынка полупроводниковых компонентов, предназначенных для модулей зарядки, контроля и защиты аккумуляторов. На рисунке 1 показана типовая схема защиты от перенапряжения, перегрузки, короткого замыкания и глубокого разряда источников питания этого типа. Ключевыми элементами защиты являются два встречно включенных транзистора MOSFET, от параметров которых зависит эффективность и надежность всего модуля.

Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ), являющаяся одним из лидеров среди производителей полупроводников в Китае, предлагает сборки MOSFET в конфигурации N + N (таблица 1), в том числе с защитой от электростатического разряда. Различные варианты корпусов (рисунок 3), в том числе ультратонких и ультракомпактных форм-факторов DFNWB и CSP, обладающих эффективным отведением тепла, в сочетании с различными характеристиками кристаллов дают возможность найти подходящую конфигурацию модуля защиты, оптимального по габаритам, надежности и стоимости.

Рис. 1. Типовая схема модуля защиты для литий-ионного аккумулятора

Рис. 1. Типовая схема модуля защиты для литий-ионного аккумулятора

Таблица 1. Характеристики N-канальных транзисторных сборок производства компании JSCJ

Наименование Напряжение, В Ток, А Номинальное сопротивление перехода (Rdson), мОм, при VGS= Корпус Номер
схемы
(рисунок 2)
Сток-исток (VDS) Затвор-исток (VGS)
4,5 В 3,8 В 3,1 В 2,5 В
CJAE2002 18 ±12 15 4,4 4,6 4,9 5,4 DFNWB3x3-8L-J 1
CJCD2003 18 ±12 12 6,2 6,8 7,2 8,2 DFNWB2x3-6L 1
CJCD2004 20 ±12 10 7,3 7,8 8,2 9,0 DFNWB2x3-6L 1
CJCD2005 20 ±12 8 9,0 9,7 10,6 12,5 DFNWB2x3-6L 1
CJCD2007 20 ±12 8 12,5 13,5 14,5 17,0 DFNWB2x3-6L 1
CJL2016 20 ±10 6 15,7 16,4 20,0 SOT-23-6L 2
CJL8810 20 ±12 7 14,5 15,6 18,5 SOT-23-6L 1
CJS9004 20 ±12 10 7,5 8,4 8,9 9,7 TSSOP-8 1
CJS8810 20 ±12 7 14,2 15,4 18,2 TSSOP-8 1
CJ6207SP 12 ±8 8,5 4,0 4,2 4,9 6,8 CSPB2213-6 3
CJ8208SP 12 ±8 14 2,0 2,1 2,4 2,8 CSPC3015-10 3
CJ8209SP 12 ±8 17 1,2 1,3 1,5 1,8 CSPC2624-10 3
CJ12209SP 12 ±8 19,8 1,2 1,3 1,4 1,6 CSPC3028-14 3
CJ4502SP 20 ±12 3,5 22,6 23,3 25,0 27,7 CSPB1111-4 3
CJ4506SP 20 ±12 10 11,2 12,7 14,7 CSPB1717-4 3
CJ6617SP 20 ±12 12 4,9 5,2 5,7 6,6 CSPB2217-6 3

Рис. 2. Варианты эквивалентных схем сборок MOSFET-транзисторов

Рис. 2. Варианты эквивалентных схем сборок MOSFET-транзисторов

Рис. 3. Схематические (без масштабирования) изображения конфигураций и назначений выводов корпусов

Рис. 3. Схематические (без масштабирования) изображения конфигураций и назначений выводов корпусов

•••

Наши информационные каналы

О компании JSCJ

Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) основана в 2018 году в китайском городе Нанкин как дочерняя структура известного контрактного изготовителя и тестировщика интегральных микросхем и дискретных полупроводников JCET. Компания, входящая в десятку крупнейших производителей микроэлектроники Китая, выпускает более 15000 наименований полупроводниковой продукции: силовые дискретные изделия, а также стандартные микросхемы управления питанием, токового преобразования и выпрямления. ...читать далее

Товары
Наименование
CJAE2002 (JSCJ)
 
CJAE2002 DFNWB33-8L-J (JSCJ)
 
CJCD2003 (JSCJ)
 
CJCD2004 (JSCJ)
 
CJCD2004 2004 (JSCJ)
 
CJCD2005 (JSCJ)
 
CJL2016 (JSCJ)
 
CJL8810 (JSCJ)
 
CJL8810 L8810 (JSCJ)
 
CJS9004 (JSCJ)