CJAB25SN06

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25SN06 N-Channel Power MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS 13.5mΩ@10V 65 V PDFNWB3.3×3.3-8L 25A 23.0mΩ@4.5V DESCRIPTION The CJAB25SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  High...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMQ090NV6LG4 (WAYON)
 
— 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMB140NV6LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMQ140NV6LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFNWB3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAB25SN06 N-Channel Power MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS 13.5mΩ@10V 65 V PDFNWB3.3×3.3-8L 25A 23.0mΩ@4.5V DESCRIPTION The CJAB25SN06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  High Power and current handing capability  Load switch  High density cell design for ultra low RDS(ON)  Lead free product is acquired  Excellent package for good heat dissipation APPLICATIONS  SMPS and general purpose applications  Uninterruptible Power Supply  Hard switched and high frequency circuits  Power management MARKING EQUIVALENT CIRCUIT CJAB25SN06 = Part No. CJAB 25SN06 XX 8 D 7 D 6 D D 5 Solid dot = Pin1 indicator XX = Code 2 1 S 3 S 4 S G MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 65 V Gate-Source Voltage VGS +20/-12V V Continuous Drain Current ID ① 25 A Pulsed Drain Current IDM ② 100 A PD ⑤ 1.5 W 83.3 ℃/W Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA ⑤ Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature Range Tstg -55 ~+150 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10s) TL 260 ℃ www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на CJAB25SN06 

Дата модификации: 07.01.2020

Размер: 1.3 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)