CJAE2002

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3×3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAE2002 DFNWB3×3-8L-J Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP 4.4 mΩ@4.5V 4.5 mΩ@4.0V 18V 15A 4.6 mΩ@ 3.8V 4.9 mΩ@3.1V 5.4 mΩ@2.5V DESCRIPTION The CJAE2002 uses advanced tr ench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAE2002

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ LDN8002DT1AG (LRC)
 
DFN30308D
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3×3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAE2002 DFNWB3×3-8L-J Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP 4.4 mΩ@4.5V 4.5 mΩ@4.0V 18V 15A 4.6 mΩ@ 3.8V 4.9 mΩ@3.1V 5.4 mΩ@2.5V DESCRIPTION The CJAE2002 uses advanced tr ench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch,facilitated by its common-drain configuration. Equivalent Circuit MARKING: S2 S2 S2 G2 2002 = Part No. Solid dot = Pin1 indicator. XX XX = Code. D1/D2 Top Back MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter S1 S1 S1 G1 Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 18 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V TA = 25 °C Continuous Drain Current TA = 70 °C TC = 25 °C 15 ID (1) 13 A 55 35 TC = 100 °C (1),(2) Pulsed Drain Current IDM Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA (3) 100 A 42 ℃/W 3 W Total Power Dissipation PD Junction Temperature Tj 150 ℃ Storage Temperature Tstg -55~+150 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10 s) TL 260 ℃ www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.3 PDF
Документация на CJAE2002 

Author: Administrator

Дата модификации: 20.07.2021

Размер: 557.8 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    05 мая 2023
    новость

    Сборки MOSFET-транзисторов JSCJ для схемы защиты литий-ионных аккумуляторов

    Развитие рынка литиевых источников питания требует реакции и от рынка полупроводниковых компонентов, предназначенных для модулей зарядки, контроля и защиты аккумуляторов. На рисунке 1 показана типовая схема защиты от перенапряжения, перегрузки,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)