CJCD2004

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2×3-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJCD2004 DFNWB2×3-6L Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP 7.3 mΩ@4.5V 7.6 mΩ@4.0V 20V 10A 7.8 mΩ@ 3.8V 8.2mΩ@3.1V 9.0mΩ@2.5V DESCRIPTION The CJCD2004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ LDN8002DT1AG (LRC)
 
DFN30308D
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
05 мая 2023
новость

Сборки MOSFET-транзисторов JSCJ для схемы защиты литий-ионных аккумуляторов

Развитие рынка литиевых источников питания требует реакции и от рынка полупроводниковых компонентов, предназначенных для модулей зарядки, контроля и защиты аккумуляторов. На рисунке 1 показана типовая схема защиты от перенапряжения, перегрузки,... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.