CJCD2004
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
DFNWB2×3-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJCD2004
DFNWB2×3-6L
Dual N-Channel MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)TYP
7.3 mΩ@4.5V
7.6 mΩ@4.0V
20V
10A
7.8 mΩ@ 3.8V
8.2mΩ@3.1V
9.0mΩ@2.5V
DESCRIPTION
The
CJCD2004
uses
advanced
trench
technology
to
provide
excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is
suitable for ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернутьПубликации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.