CJFB30H20

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB5×6-8L-E Plastic-Encapsulate MOSFETS CJFB30H20 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5mΩ@10V 30 V 12mΩ@4.5V ID DFNWB5x6-8L-E 8 7 6 5 20A DESCRIPTION The CJFB30H20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications 1 1 2 3 4 FEATUR...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAC0410

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB5×6-8L-E Plastic-Encapsulate MOSFETS CJFB30H20 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5mΩ@10V 30 V 12mΩ@4.5V ID DFNWB5x6-8L-E 8 7 6 5 20A DESCRIPTION The CJFB30H20 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications 1 1 2 3 4 FEATURES  Full Bridge switch  Good stability and uniformity with high EAS  Load switch  Excellent package for good heat dissipation  High density cell design for ultra low RDS(ON)  Special process technology for high ESD  Fully characterized avalanche voltage and capability current APPLICATIONS SMPS and general purpose applications D13 D  Hard switched and high frequency circuits MARKING D  EQUIVALENT CIRCUIT Q3 Q1 G1 G3 Q2 G2 Solid dot = Pin1 indicator. S3D4 D D FB30H20 = Part No. S1D2 Q4 G4 G S G S FB 30H20 XX S G S G S24 XX = Code. MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 20 A Pulsed Drain Current IDM 100 A 70 mJ PD 1.5 W RθJA 83.3 ℃/W Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature Range Tstg -55 ~+150 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10s) TL 260 ℃ Single Pulsed Avalanche Energy EAS Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient (1) (1).EAS condition: VDD=15V,L=0.14mH, RG=25Ω, Starting TJ = 25°C (2).Mounted on a glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на CJFB30H20 

Дата модификации: 09.11.2020

Размер: 1.17 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    25 апреля 2023
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для беспроводных зарядных устройств технологии Power Delivery

    Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из главных производителей полупроводниковых компонентов в Китае. Для удобного построения функциональных узлов беспроводных зарядных устройств (рисунок 1), таких как управление входом... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)