Полупроводниковые компоненты JSCJ для беспроводных зарядных устройств технологии Power Delivery

25 апреля 2023

терминалы продажуправление питаниемпотребительская электроникаинтернет вещейJSCJновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиMOSFETWireless chargerUSB-зарядкаQuick charger

Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из главных производителей полупроводниковых компонентов в Китае. Для удобного построения функциональных узлов беспроводных зарядных устройств (рисунок 1), таких как управление входом питания от USB, мостовой инвертор, переключение электромагнитных катушек, управление выходом и прочие, JSCJ предлагает следующую продукцию:

  • N- и P-канальные транзисторы MOSFET (CJMP3009G) и их сборки (таблица 1);
  • LDO-стабилизаторы напряжения с малым током потребления и низким уровнем шумов (таблица 2);
  • диоды Шоттки с большим током в компактном корпусе (таблица 3).

Рис. 1. Функциональные узлы беспроводного зарядного устройства

Рис. 1. Функциональные узлы беспроводного зарядного устройства

Таблица 1. Транзисторы и транзисторные сборки MOSFET производства компании JSCJ

Наименование Напряжение «сток-исток»
(VDS), В
Напряжение «затвор-исток» (VGS), В Ток, А Номинальное сопротивление перехода (Rdson), мОм Входная емкость (Ciss), пФ Общий заряд затвора (Qg), нКл Корпус
VGS = 10 В VGS = 4,5 В
2N7002K 60 ±20 0,34 900 1100 40 SOT-23
CJAB35N03S 30 35 5,2 7,5 1100 24 PDFNWB3,3×3,3-8L
CJAB35SN03 30 35 5,6 7,5 630 18 PDFNWB3,3×3,3-8L
CJAB55N03S 30 55 3,8 5,9 2800 50 PDFNWB3,3×3,3-8L
CJAE35SN06 60 35 7,5 10,5 1270 28 DFNWB3,3×3,3-8L
CJQ14SN06 60 14 9,7 12,8 1257 19,9 SOP-8
CJMP3009G -30 -9 19 27 1400 25 DFNWB2x2-6-8L
CJBD3020 30 20 9,5 14,5 823 14 PDFNWB3,3×3,3-8L
CJFB30H20 30 20 8,5 12 823 13 DFNWB5x6-8L

На рисунке 2 приведены эквивалентные схемы транзистора 2N7002K, а также сборок CJBD3020 и CJFB30H20.

Рис. 2. Эквивалентные схемы транзисторных сборок

Рис. 2. Эквивалентные схемы транзисторных сборок

Таблица 2. LDO-стабилизаторы производства JSCJ

Наименование Напряжение, В Ток, мА Падение напряжения, мВ Ток потребления, мкА Подавление пульсаций источника питания (PSRR) при 1 кГц, дБ Корпус
Входное Выходное
CJ6330B33M 2,5…18 3,3 300 160 2 65 SOT-23-5L
CJ6330B50M 5,0

Таблица 3. Диоды Шоттки JSCJ

Наименование Напряжение, В Ток, А Падение напряжения, В Максимальный обратный ток, мкА Корпус
DSS34 40 3 0,55 500 SOD-123FL
DSS36 60 0,7

Небольшие корпуса с высокой плотностью мощности полупроводниковых компонентов, а также низкое сопротивление открытого канала транзисторов и сборок производства компании JSCJ позволяют спроектировать компактные и высокоэффективные беспроводные зарядные устройства.

•••

Наши информационные каналы

О компании JSCJ

Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) основана в 2018 году в китайском городе Нанкин как дочерняя структура известного контрактного изготовителя и тестировщика интегральных микросхем и дискретных полупроводников JCET. Компания, входящая в десятку крупнейших производителей микроэлектроники Китая, выпускает более 15000 наименований полупроводниковой продукции: силовые дискретные изделия, а также стандартные микросхемы управления питанием, токового преобразования и выпрямления. ...читать далее

Товары
Наименование
CJMP3009G (JSCJ)
 
CJAB35N03S (JSCJ)
 
CJAB35SN03 (JSCJ)
 
CJAB55N03S (JSCJ)
 
CJAE35SN06 (JSCJ)
 
CJQ14SN06 (JSCJ)
 
CJBD3020 (JSCJ)
 
CJFB30H20 (JSCJ)
 
CJ6330B33M (JSCJ)
 
CJ6330B50M (JSCJ)