Полупроводниковые компоненты JSCJ для беспроводных зарядных устройств технологии Power Delivery
25 апреля 2023
Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из главных производителей полупроводниковых компонентов в Китае. Для удобного построения функциональных узлов беспроводных зарядных устройств (рисунок 1), таких как управление входом питания от USB, мостовой инвертор, переключение электромагнитных катушек, управление выходом и прочие, JSCJ предлагает следующую продукцию:
- N- и P-канальные транзисторы MOSFET (CJMP3009G) и их сборки (таблица 1);
- LDO-стабилизаторы напряжения с малым током потребления и низким уровнем шумов (таблица 2);
- диоды Шоттки с большим током в компактном корпусе (таблица 3).
Рис. 1. Функциональные узлы беспроводного зарядного устройства
Таблица 1. Транзисторы и транзисторные сборки MOSFET производства компании JSCJ
| Наименование | Напряжение «сток-исток» (VDS), В |
Напряжение «затвор-исток» (VGS), В | Ток, А | Номинальное сопротивление перехода (Rdson), мОм | Входная емкость (Ciss), пФ | Общий заряд затвора (Qg), нКл | Корпус | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VGS = 10 В | VGS = 4,5 В | |||||||
| 2N7002K | 60 | ±20 | 0,34 | 900 | 1100 | 40 | – | SOT-23 |
| CJAB35N03S | 30 | 35 | 5,2 | 7,5 | 1100 | 24 | PDFNWB3,3×3,3-8L | |
| CJAB35SN03 | 30 | 35 | 5,6 | 7,5 | 630 | 18 | PDFNWB3,3×3,3-8L | |
| CJAB55N03S | 30 | 55 | 3,8 | 5,9 | 2800 | 50 | PDFNWB3,3×3,3-8L | |
| CJAE35SN06 | 60 | 35 | 7,5 | 10,5 | 1270 | 28 | DFNWB3,3×3,3-8L | |
| CJQ14SN06 | 60 | 14 | 9,7 | 12,8 | 1257 | 19,9 | SOP-8 | |
| CJMP3009G | -30 | -9 | 19 | 27 | 1400 | 25 | DFNWB2x2-6-8L | |
| CJBD3020 | 30 | 20 | 9,5 | 14,5 | 823 | 14 | PDFNWB3,3×3,3-8L | |
| CJFB30H20 | 30 | 20 | 8,5 | 12 | 823 | 13 | DFNWB5x6-8L | |
На рисунке 2 приведены эквивалентные схемы транзистора 2N7002K, а также сборок CJBD3020 и CJFB30H20.
Рис. 2. Эквивалентные схемы транзисторных сборок
Таблица 2. LDO-стабилизаторы производства JSCJ
| Наименование | Напряжение, В | Ток, мА | Падение напряжения, мВ | Ток потребления, мкА | Подавление пульсаций источника питания (PSRR) при 1 кГц, дБ | Корпус | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Входное | Выходное | ||||||
| CJ6330B33M | 2,5…18 | 3,3 | 300 | 160 | 2 | 65 | SOT-23-5L |
| CJ6330B50M | 5,0 | ||||||
Таблица 3. Диоды Шоттки JSCJ
| Наименование | Напряжение, В | Ток, А | Падение напряжения, В | Максимальный обратный ток, мкА | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|
| DSS34 | 40 | 3 | 0,55 | 500 | SOD-123FL |
| DSS36 | 60 | 0,7 |
Небольшие корпуса с высокой плотностью мощности полупроводниковых компонентов, а также низкое сопротивление открытого канала транзисторов и сборок производства компании JSCJ позволяют спроектировать компактные и высокоэффективные беспроводные зарядные устройства.
Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) основана в 2018 году в китайском городе Нанкин как дочерняя структура известного контрактного изготовителя и тестировщика интегральных микросхем и дискретных полупроводников JCET.
Компания, входящая в десятку крупнейших производителей микроэлектроники Китая, выпускает более 15000 наименований полупроводниковой продукции: силовые дискретные изделия, а также стандартные микросхемы управления питанием, токового преобразования и выпрямления.
...читать далее
Наши информационные каналы