CJND2004

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB5×2-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJND2004 Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP 8.0 mΩ@4.5V DFNWB5X2-6L 8.2 mΩ@4.0V 20V 10A 8.3 mΩ@ 3.8V 8.8 mΩ@3.1V 10 mΩ@2.5V DESCRIPTION The CJND2004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected. This device is suitable for use as...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJS9004 (JSCJ)
 
TSSOP-8
 
±
A+ CJ6617SP (JSCJ)
 
 
±
A+ CJCD2004 (JSCJ)
 
 
±
A+ LDN2012DT2AG (LRC)
 
DFN2030
 
±
A+ LDN8002DT1AG (LRC)
 
DFN30308D
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.