CJP180N03
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJP180N03
V(BR)DSS
N-Channel Power MOSFET
RDS(on)TYP
2.0mΩ@10V
30 V
2.2mΩ@4.5V
TO-220-3L-C
ID
180A
DESCRIPTION
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
The CJP180N03 uses trench technology and design to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used
in a wide variety of applications
FEATURES
...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2203L
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO2203L | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJP180G04C (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | TSM018NB03CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJAC200SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.