CJPF55P30
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-220F Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJPF55P30
TO-220F
P-Channel Power MOSFET
V(BR)DSS
RDS(on)TYP
ID
-V
mΩ@-10V
-A
GENERAL DESCRIPTION
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
The CJPF5P uses advanced trench technology and design to provide
excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
FEATURE
...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO220F
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO220F | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | NCE60P12K (NCE) | TO252 | 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | IRF9Z34NPBF (JSMICRO) IRF9Z34NPBF (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 10 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | IRF9Z34NPBF-VB (VBSEMI) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | IRF9Z34N (EVVO) IRF9Z34N (INFIN) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJPF55P30
Microsoft Word - CJU18P10 TO-252-2L A-1
Дата модификации: 31.07.2020
Размер: 910.2 Кб
4 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.