NCE60P12K
NCE60P12K
http://www.ncepower.com
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE60P12K uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This
device is well suited for high current load applications.
General Features
● VDS =-60V,ID =-12A
RDS(ON) <100mΩ @ VGS=-10V
Schematic diagram
RDS(ON) <125mΩ @ VGS=-4.5V
● High density c...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO252 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJU55P30 (JSCJ) | TO2522L | 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| P- | YJD25GP06A (YJ) | TO252 | в ленте 25000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| P- | CRTD550P06N2-G (CRMICRO) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | |
| P- | IRFR9024NTR (YOUTAI) IRFR9024NTR (INFIN) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE60P12K
Microsoft Word - NCE60P12K data sheet.doc
Дата модификации: 22.09.2020
Размер: 435 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.