CJQ05N10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD    ! "#  CJQ05N10 Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS 100V RDS(on)MAX ID 140mΩ@ 10V 5A SOP8 DESCRIPTION The CJQ05N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. FEATURES z Lead free product is acqu...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CRMM4892D (CRMICRO)
 
SOP-8
 
P- YJS11G10A (YJ)
 
SOP-8 в ленте 8000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.