CJQ05N10
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
! "#
CJQ05N10
Dual N-Channel MOSFET
V(BR)DSS
100V
RDS(on)MAX
ID
140mΩ@ 10V
5A
SOP8
DESCRIPTION
The CJQ05N10 uses advanced trench technology and design to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use
in a wide variety of applications.
FEATURES
z Lead free product is acqu...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SO-8 SOIC8
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-8 SOIC8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | CRMM4892D (CRMICRO) | SOP-8 | — | — | — | ||||||||||||
P- | YJS11G10A (YJ) | SOP-8 | в ленте 8000 шт | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.