CJQ05N10

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD    ! "#  CJQ05N10 Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS 100V RDS(on)MAX ID 140mΩ@ 10V 5A SOP8 DESCRIPTION The CJQ05N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. FEATURES z Lead free product is acqu...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAC20N06D

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CRMM4892D (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- YJS11G10A (YJ)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — — — —
P- IRF7380TRPBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD    ! "#  CJQ05N10 Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS 100V RDS(on)MAX ID 140mΩ@ 10V 5A SOP8 DESCRIPTION The CJQ05N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. FEATURES z Lead free product is acquired z Special process technology for high ESD capability z High density cell design for ultra low RDS(on) z Good stability and uniformity with high EAS z Excellent package for good heat dissipation APPLICATION z Power switching application z Hard switching and high frequency circuits z Uninterruptible power supply Equivalent Circuit MARKING: Q05N10= Device code YY=Date Code Solid dot = Pin1 indicator Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 5 A Pulsed Drain Current (note 1) IDM 24 A Power Dissipation(note 1) PD 1.4 W RθJA 89 ℃/W Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature TSTG -55~+150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 2) www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.1 PDF
Документация на CJQ05N10 

Author: Administrator

Дата модификации: 22.08.2020

Размер: 4.22 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)