Вход / Регистрация

CZT127

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors CZT127 SOT-223 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z Complementary to CZT122 z Silicon Power Darlington Transistors z Low speed switching and amplifier applications 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ MJD127 (JSCJ)
 
— в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ TIP127 (JSCJ)
 

TIP127 (SAMSUNG) 		— 200 шт
 
 — — — —
A+ TIP127 TO-126 (JSCJ)
 
TO126 1000 шт
 
 — — — —
A+ TIP127F (JSCJ)
 
TO220F 1000 шт
 
 — — — — —
A+ TIP147 (JSCJ)
 
— 1000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate Transistors CZT127 SOT-223 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z Complementary to CZT122 z Silicon Power Darlington Transistors z Low speed switching and amplifier applications 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -100 V VCEO Collector-Emitter Voltage -100 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -5 A PC Collector Power Dissipation 1 W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~150 ℃ Equivalent Circuit ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-1m A,IE=0 -100 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-30mA,IB=0 -100 V Collector cut-off current ICBO VCB=-100V,IE=0 --200 uA Base cut-off current ICEO VCE=-50V,IB=0 -500 uA Emitter cut-off current IEBO VEB=-5V,IC=0 -2 mA hFE(1) VCE=-3V,IC=-0.5A 1000 hFE(2) VCE=-3V,IC=-3A 1000 DC current gain VCE(sat)1 IC=-3A,IB=-12mA -2 V VCE(sat)2 IC=-5A,IB=-20mA -4 V Base-emitter voltage VBE(on) VCE=-3V,IC=-3A -2.5 V Transition frequency fT VCE=-4V,IC=-3A,f=1MHz Cob VCB=-10V, IE=0, f=1.0MHz Collector-emitter saturation voltage Collector output capacitance www.jscj-elec.com 1 4 MHz 200 pF Rev. - 2.1 PDF
Документация на CZT127 

Microsoft Word - LM317.doc

Дата модификации: 18.01.2021

Размер: 665.2 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)