MMST3906

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors MMST3906 TRANSISTOR (PNP) SOT–323 FEATURES  Complementary to MMST3904 MARKING:K5N MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -200...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT3906G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
P= LMBT3906LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
P= MMDT3906V (JSCJ)
 
SOT-563
 
 — — — — — — — — — — —
P= MMBT3906 (SHIKUES)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- MMBT3906W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
 — — — —
P- MMBT3906 (UTC)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — — —
P- MMBT3906 SOT23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
P- MMBT3906 (YJ)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- MMBT3906 (HOTTECH)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P- MMBT3906 (JSCJ)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858C (YJ)
 

BC858C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858B (YJ)
 

BC858B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors MMST3906 TRANSISTOR (PNP) SOT–323 FEATURES  Complementary to MMST3904 MARKING:K5N MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -200 mA PC Collector Power Dissipation 200 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 625 ℃/W -55～+150 ℃ RΘJA Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,Tstg 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO* IC=-10µA, IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* IC=-1mA, IB=0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO* IE=-10µA, IC=0 -5 V Base cut-off current IBL* VCE=-30V, VEB(Off)=-3V -50 nA Collector cut-off current ICEX* VCE=-30V, VEB(Off)=-3V -50 nA DC current gain hFE* Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)* Base-emitter saturation voltage VBE(sat)* Transition frequency fT VCE=-1V, IC=-100µA 60 VCE=-1V, IC=-1mA 80 VCE=-1V, IC=-10mA 100 300 IC=-10mA, IB=-1mA -0.2 V IC=-50mA, IB=-5mA -0.3 V -0.85 V -0.95 V IC=-10mA, IB=-1mA -0.65 IC=-50mA, IB=-5mA VCE=-20V,IC=-10mA , f=100MHz 250 MHz Collector output capacitance Cob VCB=-5V, IE=0, f=1MHz 4.5 pF Collector output capacitance Cib VEB=-0.5V, IE=0, f=1MHz 10 pF Delay time td VCC=-3V, VBE(off)=-0.5V, IC=-10mA, 35 ns Rise time tr IB1=-1mA 35 ns Storage time ts 225 ns Fall time tf 75 ns VCC=3V, IC=-10mA, IB1= IB2=-1mA *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMST3906 

Microsoft Word - MMST3906 SOT-323_A_.doc

Дата модификации: 15.05.2020

Размер: 780.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)