Вход / Регистрация

MMBT3906

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT3906 TRANSISTOR (PNP) SOT–23 FEATURES z As complementary type, the NPN transistor MMBT3904 is Recommended z Epitaxial planar die construction 1. BASE 2. EMITTER 2A= Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device. X= Code 2AX 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT3906 SOT23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
P= MMBT3906 (HOTTECH)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= MMBT3906 (UTC)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — — —
P= MMBT3906 (YJ)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBT3906 (SHIKUES)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 1 шт
 
 — — — —
P= MMDT3906V (JSCJ)
 
SOT-563
 
 — — — — — — — — — — —
P= LMBT3906LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
P= MMST3906 (JSCJ)
 
— 3000 шт — — — —
P= MMBT3906G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
P= MMBT3906W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
 — — — —
A+ BC858B (YJ)
 

BC858B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858A (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858C RF (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858AW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858C (YJ)
 

BC858C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858CT (YJ)
 
SOT-523
 
 — — — —
A+ 2SB1188-R (YJ)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ BC858A (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858BT (YJ)
 
SOT-523
 
 — — — —
A+ BC858C (SHIKUES)
 

BC858C (DIODES) 		SOT-23-3
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT3906 TRANSISTOR (PNP) SOT–23 FEATURES z As complementary type, the NPN transistor MMBT3904 is Recommended z Epitaxial planar die construction 1. BASE 2. EMITTER 2A= Device code Solid dot = Green molding compound device, if none, the normal device. X= Code 2AX 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -0.2 A PC Collector Dissipation 0.2 W RθJA TJ,Tstg 625 ℃/W Operation Junction and Storage Temperature Range -55~+150 ℃ Thermal resistance junction to ambient ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions MIN MAX UNIT Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-10μA, IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC= -1mA, IB=0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE= -10μA, IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB= -40 V, IE=0 -100 nA Collector cut-off current ICEX VCE=-30V, VBE(off)=-3V -50 nA -100 nA Emitter cut-off current DC current gain IEBO VEB= -5V, IC=0 hFE1 VCE=-1V, IC= -10mA 100 hFE2 VCE= -1V, IC=-50mA 60 hFE3 VCE= -2V, IC=-100mA 30 300 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)1 IC=-50mA, IB=-5mA -0.3 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC= -50mA, IB=-5mA -0.95 V Transition frequency fT VCE=-20V,IC=-10mA,f=100MHz Delay Time td Rise Time tr VCC=-3V,VBE=-0.5V IC=-10mA, IB1=IB2=-1mA Storage Time ts Fall Time tf 300 VCC=-3V,IC=-10mA IB1=IB2=-1mA MHz 35 nS 35 nS 225 nS 75 nS CLASSIFICATION OF hFE(1) HFE 100-300 RANK L H RANGE 100–200 200–300 www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на MMBT3906 

Microsoft Word - MMBT3906 SOT-23 C.doc

Дата модификации: 21.01.2021

Размер: 675.2 Кб

4 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    27 апреля 2024
    статья

    Альтернатива есть: широкий ассортимент полупроводниковых компонентов JIEJIE доступен со склада КОМПЭЛ

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Сотрудничество КОМПЭЛ и китайской компании JIEJIE, лидирующей в области разработки и производства полупроводниковых компонентов, дает возможность заменить недоступную продукцию других производителей. В... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)