MMBT3906

Shikues
MMBT3906 PNP TRANSISTOR FEATURES • As complementary type, the NPN transistor MMBT3904 is Recommended • Epitaxial planar die construction MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless other wise noted) Parameter Collector–Base Voltage Collector–Emitter Voltage Emitter–Base Voltage Collector Current — Continuous Collector Dissipation Thermal Resistance From Junction To Ambient Operation Junction and Storage ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= LMBT3906LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
P= MMBT3906 (YJ)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMDT3906V (JSCJ)
 
SOT-563
 
 — — — — — — — — — — —
P= MMBT3906 (JSCJ)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBT3906 (UTC)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — — —
P= MMBT3906 SOT23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
P= MMBT3906 (HOTTECH)
 

MMBT3906 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= MMBT3906G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
P= MMBT3906W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
 — — — —
P= MMST3906 (JSCJ)
 
— 3000 шт — — — —
A+ BC858 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858C (YJ)
 

BC858C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC858B (YJ)
 

BC858B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
MMBT3906 PNP TRANSISTOR FEATURES • As complementary type, the NPN transistor MMBT3904 is Recommended • Epitaxial planar die construction MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless other wise noted) Parameter Collector–Base Voltage Collector–Emitter Voltage Emitter–Base Voltage Collector Current — Continuous Collector Dissipation Thermal Resistance From Junction To Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range Symbol Value Unit V CBO V CEO V EBO IC PC -40 -40 -5 -0.2 0.2 V V V A W R thJA 625 ℃/W T J ,T stg -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted.) Parameter Symbol Test conditions Min Max Unit Collector-base breakdown voltage V (BR)CBO I C =-10uA, I E = 0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =-1 mA, I B = 0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBO I E =-10uA, I C = 0 -5 V Collector cut-off current I CBO V CB =-40V, I E = 0 Collector cut-off current I CEX Emitter cut-off current -100 nA V CE =-30V, V CE =-3V -50 nA I EBO V EB =-5V, I C = 0 -100 nA h FE1 V CE =-1V, I C =-10mA 100 h FE2 V CE =-1V, I C =-50mA 60 h FE3 V CE =-2V, I C =-100mA 30 Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =-50mA, I B =-5mA -0.3 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =-50mA, I B =-5mA V C E =-20V, I C =-10mA, f=100MHz -0.95 V DC current gain Transition frequency fT Delay time td Rise time tr Storage time ts Fall time tf REV.08 1 of 3 V CC =-3V, V BE =-0.5V I C =-10mA,I B1 = I B2 =- 1mA V CC =-3V, I C =-10mA I B1 = I B2 =- 1mA 300 MHZ 300 35 ns 35 ns 225 ns 75 ns PDF
Документация на MMBT3906 

TO-220F-3L-MOS-F7N65L-7A650V.CDR

Дата модификации: 16.12.2022

Размер: 2.15 Мб

3 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    27 апреля 2024
    статья

    Альтернатива есть: широкий ассортимент полупроводниковых компонентов JIEJIE доступен со склада КОМПЭЛ

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Сотрудничество КОМПЭЛ и китайской компании JIEJIE, лидирующей в области разработки и производства полупроводниковых компонентов, дает возможность заменить недоступную продукцию других производителей. В... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)