LMBD2838LT1G

LRC
Диод выпрямительный на напряжение до 50 В, ток до 100 мА, с падением напряжения 1 В, производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAV70 (YJ)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= MMBD4148CC (JSCJ)
 

MMBD4148CC (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 39000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 0.2A, 75V V(RRM)
P= BAV70 (ANBON)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= LBAV70LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= BAV70 (JSCJ)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 0.2A, 70V V(RRM)
P= BAV70 (SHIKUES)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —
P= BAV70 (DC)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 —
P= MMBD4148CC (ANBON)
 

MMBD4148CC (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAS70 (ANBON)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —
P= LBAV74LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= LMBD6100LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= L1SS184LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAV70 SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3 157 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Monolithic Dual Switching Diodes LMBD2837LT1G S-LMBD2837LT1G LMBD2838LT1G S-LMBD2838LT1G FEATURE z We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. z S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping A5 3000/Tape&Reel LMBD2837LT3G A5 10000/Tape&Reel LMBD2838LT1G MA6 3000/Tape&Reel LMBD2838LT3G MA6 10000/Tape&Reel LMBD2837LT1G 3 1 2 MAXIMUM RATINGS(EACH DIODE) Rating Peak Reverse Voltage D.C Reverse Voltage LMBD2837LT1G LMBD2838LT1G Symbol V RM VR Peak Forward Current I FM Average Rectified Current IO Value 75 30 50 450 300 150 Unit Vdc Vdc SOT– 23 ANODE 1 mAdc 3 CATHODE mAdc 100 2 ANODE THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR– 5 Board (1) T A = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) T A = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature Symbol PD Max 225 Unit mW R θ JA PD 1.8 556 300 mW/°C °C/W mW R θ JA T J , T stg 2.4 417 –55 to +150 mW/°C °C/W °C DEVICE MARKING LMBD2837LT1G = A5; LMBD283L8T1G = MA6 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) ( EACH DIODE ) Characteristic Symbol Min Max Unit 35 — Vdc 75 — — — OFF CHARACTERISTICS Reverse Breakdown Voltage(I (BR) = 100µAdc) LMBD2837LT1G V (BR) LMBD2838LT1G Reverse Voltage Leakage Current (V R = 30 Vdc) LMBD2837LT1G IR (V R = 50 Vdc) LMBD2838LT1G Diode Capacitance CT (V R = 0 V, f = 1.0 MHz) Forward Voltage(I F = 10 mAdc) VF (I F = 50 mAdc) (I F = 100 mAdc) Reverse Recovery Time(I F=I R=10mAdc,I R(REC)=1.0mAdc)(Figure 1) t rr 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. µAdc 0.1 0.1 — 4.0 pF — — — — 1.0 1.0 1.2 4.0 Vdc ns Rev.O 1/3 PDF
Документация на LMBD2838LT1G 

Дата модификации: 22.08.2012

Размер: 137.9 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)