BAS70

JSCJ
Диод выпрямительный на напряжение до 70 В, с падением напряжения 1 В, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAS70 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon
P= LBAS70LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon
P= BAS70 (ANBON)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —
P= BAV70 (YJ)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= LBAV70LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= BAV70 (JSCJ)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 0.2A, 70V V(RRM)
P= LBAS70-04LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3206 шт
 
 — — — — — Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.07A, 70V V(RRM), Silicon
P= BAV70 (SHIKUES)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes BAS70/-04/-05/-06 SWITCHING DIODE SOT-23 FEATURES Low turn-on voltage Fast switching z Also available in lead free version z z BAS70 Marking: 73 BAS70-04 Marking: 74 BAS70-05 Marking: 75 BAS70-04 BAS70-05 BAS70-06 Marking: 76 MARKING: BAS70 BAS70-06 Solid dot = Green molding compound device,if none, the normal device. MAXIMUM RATINGS @T Symbol a=25℃ Parameter Value Unit VR DC Voltage 70 V IF Forward Continuous Current 70 mA IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 8.3ms 100 mA PD Power Dissipation 200 mW RθJA Thermal Resistance Junction to Ambient 500 ℃/W TJ Operating Junction Temperature Range -40 ~ +125 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55 ~ +150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse breakdown voltage Symbol V(BR) Test conditions IR= 10µA VR 50V IR Reverse voltage leakag e current = Forward voltage VF IF=1mA IF=15mA Diode cap acitance CD VR= 0V f= 1MHz Reveres recovery time trr www.jscj-elec.com IF=IR=10mA,Irr=0.1xIR, RL=100Ω 1 Min Max 70 Unit V 100 nA 410 1000 mV 2 pF 5 ns Rev. - 2.0 PDF
Документация на BAS70 

Microsoft Word - BAS70_ __SOT-23_.doc

Дата модификации: 13.05.2020

Размер: 1.06 Мб

4 стр.

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes BAS70/-04/-05/-06 SWITCHING DIODE SOT-23 FEATURES Low turn-on voltage Fast switching z Also available in lead free version z z BAS70 Marking: 73 BAS70-04 Marking: 74 BAS70-05 Marking: 75 BAS70-04 BAS70-05 BAS70-06 Marking: 76 MARKING: BAS70 BAS70-06 Solid dot = Green molding compound device,if none, the normal device. MAXIMUM RATINGS @T a=25℃ Parameter Symbol Value Unit VR DC Voltage 70 V IF Forward Continuous Current 70 mA IFSM Non-Repetitive Peak Forward Surge Current @ t = 8.3ms 100 mA PD Power Dissipation 200 mW RθJA Thermal Resistance Junction to Ambient 500 ℃/W TJ Junction Temperature 125 ℃ Tstg Storage Temperature -55~+150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse breakdown voltage Symbol V(BR) Test conditions IR= 10µA Min Max 70 Unit V Reverse voltage leakag e current IR VR=50V 100 nA Forward voltage VF IF=1mA IF=15mA 410 1000 mV Diode cap acitance CD VR=0V f=1MHz 2 pF Reveres recovery time trr 5 ns www.cj-elec.com IF=IR=10mA,Irr=0.1xIR, RL=100Ω 1 E,Oct,2015 PDF
Документация на BAS70 

Microsoft Word - BAS70_ __SOT-23_.doc

Дата модификации: 19.10.2015

Размер: 886.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)