LMBD6100LT1G

LRC
Диод выпрямительный на напряжение до 70 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1.1 В, производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAV70 (YJ)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 2 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= LBAV70LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= BAV70 (JSCJ)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 0.2A, 70V V(RRM)
P= BAV70 (SHIKUES)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —
P= BAV70 (DC)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 —
P= MMBD4148CC (JSCJ)
 

MMBD4148CC (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 39000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 0.2A, 75V V(RRM)
P= BAS70 (ANBON)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —
P= BAV70 (ANBON)
 

BAV70 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= MMBD4148CC (ANBON)
 

MMBD4148CC (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= LBAV74LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= LMBD2838LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= L1SS184LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAV70 SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3 157 шт
 
 —

Файлы 2

показать свернуть
LMBD6100LT1G S-LMBD6100LT1G Monolithic Dual Switching Diode 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with SOT23 RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 qualified and PPAP capable. ANODE 1 3 CATHODE 2. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping LMBD6100LT1G 5BM 3000/Tape&Reel LMBD6100LT3G 5BM 10000/Tape&Reel 2 ANODE 3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC) Symbol Limits Unit Reverse Voltage Parameter VR 70 V Forward Current IF 200 mA IFM(surge) 500 mA Peak Forward Surge Current 4. THERMAL CHARACTERISTICS Parameter Total Device Dissipation FR– 5 Board (Note 1) TA = 25°C Symbol Value PD 225 mW 1.8 mW/℃ RθJA 556 ℃/W PD 300 mW 2.4 mW/℃ RθJA 417 ℃/W TJ , Tstg -55~+150 ℃ Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Unit Total Device Dissipation Alumina Substrate(Note 2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Leshan Radio Company, LTD. Rev.A Mar. 2018 1/4 PDF
Документация на LMBD6100LT1G 

Дата модификации: 20.03.2018

Размер: 316.3 Кб

4 стр.

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Monolithic Dual Switching Diode LMBD6100LT1G S-LMBD6100LT1G FEATURE z We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. z S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 MAXIMUM RATINGS(EACH DIODE) 1 Rating Reverse Voltage Forward Current Peak Forward Surge Current Symbol VR IF I FM(surge) Value 70 200 500 Unit Vdc mAdc mAdc Symbol PD Max 225 Unit mW 1.8 mW/°C R θ JA PD 556 300 °C/W mW R θ JA T J , T stg 2.4 417 –55 to +150 mW/°C °C/W °C 2 SOT– 23 THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR– 5 Board (1) T A = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) T A = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature ANODE 1 3 CATHODE 2 ANODE ORDERING INFORMATION DEVICE LMBD6100LT1G S-LMBD6100LT1G MARKING 5BM LMBD6100LT3G S-LMBD6100LT3G 5BM SHIPPING 3000/Tape & Reel 10000/Tape & Reel ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)(EACH DIODE) Characteristic Symbol Min Max Unit V (BR) 70 — Vdc IR — 0.1 µ Adc 0.55 0.80 0.7 1.1 t rr — 4.0 ns C — 2.5 pF OFFCHARACTERISTICS Reverse Breakdown Voltage (I (BR) = 100 µAdc) Reverse Voltage Leakage Current (V R = 50 Vdc) Forward Voltage (I F = 1.0 mAdc) (I F = 100 mAdc) Reverse Recovery Time (I F = I R = 10 mAdc,IR(REC)=1.0mAdc) (Figure 1) Capacitance(VR=0V) 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Vdc VF Rev.O 1/3 PDF
Документация на LMBD6100LT1G 

DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE

Дата модификации: 21.08.2012

Размер: 104.6 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)