NCE01P13
NCE01P13
http://www.ncepower.com
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE01P13 uses advanced trench technology and design
to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be
used in a wide variety of applications. It is ESD protested.
General Features
● VDS =-100V,ID =-13A
Schematic diagram
RDS(ON) <200mΩ @ VGS=-10V (Typ:170mΩ)
● Super high dense cell des...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 1000 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO-220-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | YJP30GP10A (YJ) | TO-220-3 | в линейках 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| P= | IRF9520N (EVVO) IRF9520N (INFIN) | TO-220-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | IRF9530N (EVVO) IRF9530N (INFIN) | TO-220-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE01P13
Microsoft Word - NCE01P13 data sheet.doc
Дата модификации: 21.04.2020
Размер: 307.3 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.