NCE01P18

NCE01P18 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P18 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features Schematic diagram ● VDS =-100V,ID =-18A RDS(ON) <100mΩ @ VGS=-10V (Typ:85mΩ) ● Super high dense cell des...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJP30GP10A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
P- IRF9540NPBF (JSMICRO)
 

IRF9540NPBF (INFIN)
в линейках 300 шт
 
P- IRF9540N (EVVO)
 

IRF9540N (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE01P18 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 31.03.2023

Размер: 713.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.