NCE0203S

NCE
Pb Free Product NCE0203S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0203S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =200V,ID =3.9A RDS(ON) < 79mΩ @ VGS=10V （Typ：56mΩ） Schematic diagram ● High density cell design for ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS690N15HG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCE0203S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0203S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =200V,ID =3.9A RDS(ON) < 79mΩ @ VGS=10V （Typ：56mΩ） Schematic diagram ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Low gate to drain charge to reduce switching losses Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits Marking and pin assignment ● Uninterruptible power supply 100% ∆Vds TESTED! SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 0203 NCE0203S SOP-8 Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 3.9 A ID (100℃) 2.8 A Pulsed Drain Current IDM 30 A Maximum Power Dissipation PD 3 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 41.7 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd Page 1 v1.1 PDF
Документация на NCE0203S 

Microsoft Word - NCE0203S.doc

Дата модификации: 22.01.2016

Размер: 324.3 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)