WMS690N15HG2

WMS690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMS690N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench D D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching S performance. This device is well suited for high efficiency fast S S switching applications. G SOP-8L Features ⚫ VDS= 150V, ID...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ LNB8936DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8930DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LN7950HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7925DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN4960T1G (LRC)
 
SOP-8
 
±
A+ WMS06N15T2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
A+ NCEP1505S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
A+ JMSH1552AP-13 (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 2500 шт
 
A+ CJQ10SN15S (JSCJ)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
A+ LNB8960DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.