NCE0224D

Pb Free Product NCE0224D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0224D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =200V,ID =24A RDS(ON) < 80mΩ @ VGS=10V (Typ:64mΩ) Schematic diagram ● High density cell design for ultra ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMM340N20HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P- IRF640N (EVVO)
 

IRF640N (INFIN)
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMB340N20HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 800 шт
 
A+ TSM600NA25CIT C0G (TSC)
 
ITO220 50 шт
 
A+ NCE0224 (NCE)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE0224D 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Дата модификации: 11.03.2014

Размер: 344.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.