WMM340N20HG2

WMM340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This device G is well suited for high efficiency fast switching applications. S TO-263 Features ⚫ VDS = 200V, ID = 50A RDS(on) &...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P+ WMM220N20HG3 (WAYON)
 
в ленте 800 шт
 
P- NCEP02T10D (NCE)
 
TO263 в ленте 200 шт
 
±
P- NCE0224D (NCE)
 
TO263 55 шт
 
±
P- NCE0260 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
P- NCEP02580D (NCE)
 
TO263 36 шт
 
±
P- CS50N20A0R (CRMICRO)
 
TO263
 
P- CRSS109N20NZ (CRMICRO)
 
TO263
 
P- JMSH1516AC (JIEJIE)
 
 
P- IRF640N (EVVO)
 

IRF640N (INFIN)
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- YJP90G15A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- IRFB5615 (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- IRFS23N20D (EVVO)
 

IRFS23N20D (INFIN)
TO263 800 шт
 
A+ WMK340N20HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.