NCE20NP1006S

NCE
NCE20NP1006S http://www.ncepower.com N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE20NP1006S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel N-channel P-channel VDS = 20V,ID =10A RDS(ON) <...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CRMM4614C (CRMICRO)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- IRF7307TR (YOUTAI)
 

IRF7307TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- IRF7317TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— 560 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7317TR (JSMICRO)
 

IRF7317TR (INFIN) 		— 1000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE20NP1006S http://www.ncepower.com N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE20NP1006S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel N-channel P-channel VDS = 20V,ID =10A RDS(ON) < 14mΩ @ VGS=4.5V Schematic diagram RDS(ON) < 18mΩ @ VGS=2.5V ● P-Channel VDS = -20V,ID = -6A RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=-4.5V RDS(ON) < 60mΩ @ VGS=-2.5V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface mount package ● Pb free terminal plating ● RoHS compliant ● Halogen free Application ● Power Management Marking and pin assignment SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 20NP1006S NCE20NP1006S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol N-Channel P-Channel Unit Drain-Source Voltage VDS 20 -20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 ±12 V 10 -6 8 -4.8 IDM 40 -30 A PD 2.0 2.0 W TJ,TSTG -55 To 150 -55 To 150 ℃ Continuous Drain Current TA=25℃ ID TA=70℃ Pulsed Drain Current (Note 1) Maximum Power Dissipation TA=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range A Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note2) RθJA N-Ch 62.5 ℃/W Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note2) RθJA P-Ch 62.5 ℃/W Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCE20NP1006S 

Microsoft Word - NCE20NP1006S data sheet.doc

Дата модификации: 15.11.2023

Размер: 412.6 Кб

10 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)