CRMM4614C

CR Micro
CRMM4614C 30V Complementary Power MOSFET 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology Symbol N-Ch P-Ch VDS 30V -30V RDS(on) typ. 22mΩ 22mΩ ID 7A -7A • Extremely low on-resistance RDS(on) • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) • Complementary N-ch and P-ch MOSFET Applications 100% DVDS Tested • Motor drive 100% Avalanche Tested Pack...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE20NP1006S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- IRF7307TR (YOUTAI)
 

IRF7307TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRMM4614C 30V Complementary Power MOSFET 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology Symbol N-Ch P-Ch VDS 30V -30V RDS(on) typ. 22mΩ 22mΩ ID 7A -7A • Extremely low on-resistance RDS(on) • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) • Complementary N-ch and P-ch MOSFET Applications 100% DVDS Tested • Motor drive 100% Avalanche Tested Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing Reel Size Tape Width Qty CRMM4614C CRMM4614C SOP-8L Taping N/A N/A 4000pcs Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Drain-source voltage Maximum Unit N-Ch P-Ch VDS 30 -30 V Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) ID 8 -9 A Continuous drain current TC = 25°C (Package limit) ID 7 -7 A Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) ID pulse 28 -28 A Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=25Ω) EAS 20 72 mJ Gate-Source voltage VGS ±20 ±20 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 3.0 3.0 W Operating junction and storage temperature Tj , T stg ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited -55...+150 °C Page 1 PDF
Документация на CRMM4614C 

Дата модификации: 24.08.2022

Размер: 1.49 Мб

11 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    18 марта 2024
    новость

    Новые полевые транзисторы и сборки производства CR MICRO поступили на склад КОМПЭЛ

    Ассортимент продукции, представленной на нашем складе, недавно пополнили транзисторы и сборки MOSFET производства китайской компании China Resources Microelectronics Limited (CR MICRO). Она была основана в 2002 году и является частью огромного... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)