NCE20P10J

NCE
NCE20P10J http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE20P10J uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. S General Features Schematic diagram ● VDS = -20V,ID = -10A RDS...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN62X2
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJMP3009G (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
P- YJQ4666B (YJ)
 
— в ленте 18000 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE20P10J http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE20P10J uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages .This device is suitable for use as a load switching application and a wide variety of other applications. S General Features Schematic diagram ● VDS = -20V,ID = -10A RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=-2.5V RDS(ON) < 25mΩ @ VGS=-4.5V ● Advanced trench MOSFET process technology ● Ultra low on-resistance with low gate charge Pin assignment Application ● PWM applications ● Load switch ● Battery charge in cellular handset DFN2X2-6L bottom view Package marking and ordering information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape Width Quantity 20P10J NCE20P10J DFN2X2-6L - - - Absolute maximum ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Drain Current-Continuous ID -10 A Drain Current -Pulsed (Note 1) IDM -40 A Maximum Power Dissipation PD 3.5 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 36 ℃/W Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v2.0 PDF
Документация на NCE20P10J 

Microsoft Word - NCE20P10J data sheet.doc

Дата модификации: 28.05.2021

Размер: 254.5 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)