CJMP3009G

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2×2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJMP3009G P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor RDS(on)TYP V(BR)DSS ID 19mΩ@-10V -30 V -9A 27mΩ@-4.5V DFNWB2×2-6L-J 1. DRAIN 2. DRAIN 3. GATE 4. SOURCE 5. DRAIN General Description The CJMP3009G uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) with low gate charge. This...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJM1206

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WM03P115R (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P= YJQ3407B (YJ)
 
DFN62X2 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJQ4666B (YJ)
 
— в ленте 18000 шт
 
 — —
P- NCE20P10J (NCE)
 
DFN62X2 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- NCE30P06J (NCE)
 
DFN62X2
 
 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2×2-6L-J Plastic-Encapsulate MOSFETS CJMP3009G P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor RDS(on)TYP V(BR)DSS ID 19mΩ@-10V -30 V -9A 27mΩ@-4.5V DFNWB2×2-6L-J 1. DRAIN 2. DRAIN 3. GATE 4. SOURCE 5. DRAIN General Description The CJMP3009G uses advanced trench technology to provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use 6. DRAIN as a load switch or in PWM applications. Equivalent Circuit MARKING P3009G XX P3009G = Part No. Solid dot = Pin1 indicator. XX = Code. Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V A Continuous Drain Current ID -9 Power Dissipation PD 750 mW RθJA 165 ℃/W TJ,Tstg -55~+150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient Operation Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJMP3009G 

Microsoft Word - CJ3407_SOT-23_.doc

Дата модификации: 13.11.2020

Размер: 3.02 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    25 апреля 2023
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для беспроводных зарядных устройств технологии Power Delivery

    Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из главных производителей полупроводниковых компонентов в Китае. Для удобного построения функциональных узлов беспроводных зарядных устройств (рисунок 1), таких как управление входом... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)