NCE30H15

NCE30H15 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30H15 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =150A Schematic diagram RDS(ON) <3.0 mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <4.0mΩ @ VGS=4.5V ● High density cell design for ult...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CS150N03D8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- JMTC018N03A (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
A+ YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ TQM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TSM025NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TSM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TSM018NB03CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ CJP180N03 (JSCJ)
 
TO2203L
 
±
A+ CJP140N04 (JSCJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC150N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE30H15 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 01.02.2023

Размер: 741.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.