CJAC150N03A
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
PDFN:%5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJAC150N03A
N-Channel Power MOSFET
RDS(onTYP
V(BR)DSS
1.4mΩ@10V
30V
2.0mΩ@4.5V
ID
PDFN:%5×6-8L
150A
DESCRIPTION
The CJAC150N03A uses trench technology and design to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used
in a wide variety of applications
FEATURES
High Power and current...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 9
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | DI150N03PQ (DIOTEC) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
A+ | CSD17559Q5T (TI) | DFN-8 TDFN8 | 250 шт | — | — | 30V N-Channel NexFET Power MOSFET | — | — | |||||||||
A+ | STI300N4F6 (ST) | TO-262-3 | 50 шт | — | Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | — | |||||||||||
A+ | STH400N4F6-2 (ST) | H2PAK2 | 1000 шт | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | STH360N4F6-2 (ST) | H2PAK2 | 1000 шт | Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | STH320N4F6-6 (ST) | H2PAK6 | 1000 шт | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | STH320N4F6-2 (ST) | H2PAK2 | 1000 шт | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | STV270N4F3 (ST) | POWERSO10 | Power Field-Effect Transistor, 270A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | STB270N4F3 (ST) | TO263 | 1000 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | — |
Файлы 1
показать свернутьПубликации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.