CJAC150N03A

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN:%5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC150N03A N-Channel Power MOSFET RDS(onTYP V(BR)DSS 1.4mΩ@10V 30V 2.0mΩ@4.5V ID PDFN:%5×6-8L 150A DESCRIPTION The CJAC150N03A uses trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  High Power and current...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAB10N03

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJAC150N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
P- NCEP3065QU (NCE)
 
DFN83X3 125 шт
 
 ± — — —
P- WMB017N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт — — —
P- YJG40N03A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
 — —
P- YJG105N03A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
P- WMB150N03TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — —
P- CRTM055N03LE (CRMICRO)
 
—
 
 — — —
P- JMSL0302BU (JIEJIE)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRFH5300TRPBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCEP30T15GU (NCE)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ TSM018NB03CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN:%5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC150N03A N-Channel Power MOSFET RDS(onTYP V(BR)DSS 1.4mΩ@10V 30V 2.0mΩ@4.5V ID PDFN:%5×6-8L 150A DESCRIPTION The CJAC150N03A uses trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  High Power and current handing capability  Good stability and uniformity with high EAS  Load switch  Excellent package for good heat dissipation  High density cell design for ultra low RDS(ON)  Lead free product is acquired APPLICATIONS  SMPS and general purpose applications  Uninterruptible Power Supply  Hard switched and high frequency circuits  Power management EQUIVALENT CIRCUIT MARKING 8 CJAC 150N03A XX D 7 D 6 D 5 D CJAC150N03A = Part No. Solid dot=Pin1 indicator. XX=Code. 2 1 S 3 S 4 S G PIN 1 MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID ① 150 A Pulsed Drain Current IDM② 600 A Single Pulsed Avalanche Energy EAS③ 325 mJ Power Dissipation PD① 130 W RθJA⑥ 62.5 ℃/W 0.96 ℃/W -55 ~+150 ℃ Thermal Resistance from Junction to Ambient Thermal Resistance from Junction to Case RθJC Junction and Storage Temperature Range TJ, Tstg www.jscj-elec.com 1 ① Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJAC150N03A 

Дата модификации: 28.06.2021

Размер: 4.72 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    24 января 2023
    новость

    Полупроводниковая микроэлектроника JSCJ для беспроводных решений, систем безопасности и других применений

    КОМПЭЛ начал сотрудничество с компанией Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ), основной продукцией которой являются дискретные полупроводниковые компоненты и интегральные микросхемы. JSCJ основан в 2018 году в городе Нанкин (Китай) на базе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)