CJAC150N03A

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN:%5×6-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC150N03A N-Channel Power MOSFET RDS(onTYP V(BR)DSS 1.4mΩ@10V 30V 2.0mΩ@4.5V ID PDFN:%5×6-8L 150A DESCRIPTION The CJAC150N03A uses trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES  High Power and current...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= DI150N03PQ (DIOTEC)
 
A+ CSD17559Q5T (TI) DFN-8 TDFN8 250 шт
 
30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
A+ STI300N4F6 (ST) TO-262-3 50 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
A+ STH400N4F6-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STH360N4F6-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STH320N4F6-6 (ST) H2PAK6 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STH320N4F6-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STV270N4F3 (ST) POWERSO10
 
Power Field-Effect Transistor, 270A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STB270N4F3 (ST) TO263 1000 шт MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK Power Field-Effect Transistor, 160A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Файлы 1

показать свернуть
Документация на CJAC150N03A 

Дата модификации: 28.06.2021

Размер: 4.72 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    24 января 2023
    новость

    Полупроводниковая микроэлектроника JSCJ для беспроводных решений, систем безопасности и других применений

    КОМПЭЛ начал сотрудничество с компанией Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ), основной продукцией которой являются дискретные полупроводниковые компоненты и интегральные микросхемы. JSCJ основан в 2018 году в городе Нанкин (Китай) на базе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.