NCE40H32LL

NCE40H32LL http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE40H32LL uses advanced trench technology and ● VDS =40V ,ID =320A design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It RDS(ON) < 1.3mΩ @ VGS=10V can be used in a wide variety of applications. ● High density cell design for ultra low Rdson Application ● Fully ch...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSL0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0401ATLQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 
A+ JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE)
 
2000 шт
 
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
в ленте 15 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE40H32LL 

Microsoft Word - NCE40H32LL data sheet.doc

Дата модификации: 04.06.2021

Размер: 383.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.