NCE4435

NCE4435 NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE4435 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. S General Features Schematic diagram ● VDS = -30V,ID = -9.1A RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=-4.5V RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=-10V ● High power and current handing capability ● Lead free product...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ±
P- WMS12P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- YJS4435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 8000 шт
 
P- JMTP4435A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
P- IRF9333TRPBF (JSMICRO)
 

IRF9333TRPBF (INFIN)
в ленте 1700 шт
 
P- IRF9333TRPBF-VB (VBSEMI)
 
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.