Вход / Регистрация

YJS4435B

SUNCO
RoHS YJS4435B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested -30 V -10 A ＜19 mΩ ＜28 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Ratin...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE30P12S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- NCE4435 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ± — — — — —
P- CJQ4435 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
P- WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WMS12P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- IRF7416TR (YOUTAI)
 

IRF7416TR (INFIN) 		— в ленте 20 шт
 
 — —
P- NCE3007S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P- CRTE350P03L2-G (CRMICRO)
 
SOP-8 4000 шт
 
 — — —
P- NCE30PD08S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- JMTP4953A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- CRMM4805D (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- JMTP160P03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
P- JMTP4435A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
P- JMTP9435A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF9333TRPBF (JSMICRO)
 

IRF9333TRPBF (INFIN) 		— в ленте 1700 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF9333TRPBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS4435B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested -30 V -10 A ＜19 mΩ ＜28 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS -30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V -10 TA=25℃ Drain Current ID A -6.3 TA=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM -80 A EAS 56 mJ 2.5 TA=25℃ Total Power Dissipation C PD W 1 TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Symbol Typ Max Units RθJA 40 50 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS4435B F2 Q4435B 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E309 Rev.1.0,13-Mar-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS4435B 

Дата модификации: 14.03.2023

Размер: 563.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)