NCEP01T30T

NCE
Pb Free Product NCEP01T30T http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP01T30T uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH1001ATLQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH1002AS-U (JIEJIE)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — —
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
— в ленте 10 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCEP01T30T http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP01T30T uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Schematic diagram General Features ● VDS =100V,ID =300A RDS(ON) <2.1mΩ @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested TO-247 top view Application 100% UIS TESTED! ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous 100% ∆Vds TESTED! rectification Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP01T30T NCEP01T30T TO-247 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 300 A ID (100℃) 220 A Pulsed Drain Current IDM 1200 A Maximum Power Dissipation PD 520 W 3.47 W/℃ EAS 3400 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 0.29 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP01T30T 

Microsoft Word - NCEP01T30T data sheet.doc

Дата модификации: 07.09.2018

Размер: 320.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)