NCEP023N10

NCEP023N10, NCEP023N10D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency General Features ● VDS =100V,ID =240A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=2.1mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low comb...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ CRSZ019N10N4Z (CRMICRO)
 
 
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ±
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
 
±
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
в ленте 10 шт
 
±
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ CRSZ025N10N (CRMICRO)
 
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP023N10, NCEP023N10D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency General Features ● VDS =100V,ID =240A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=2.1mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON)=1.9mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification TO-263 TO-220 Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP023N10 NCEP023N10 TO-220 - - - NCEP023N10D NCEP023N10D TO-263 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 240 A ID (100℃) 170 A Pulsed Drain Current IDM 960 A Maximum Power Dissipation PD 340 W 2.27 W/℃ EAS 2332 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 4) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V4.0 PDF
Документация на NCEP023N10 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 17.08.2022

Размер: 855.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.