NCEP023N10D
NCEP023N10, NCEP023N10D
NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET
Description
The series of devices uses Super Trench II technology that is
uniquely optimized to provide the most efficient high frequency
General Features
● VDS =100V,ID =240A
switching performance. Both conduction and switching power
RDS(ON)=2.1mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V
losses are minimized due to an extremely low comb...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO263
- Норма упаковки: 6 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO263 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 9
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMK028N10HG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | JMSH1002AS-U (JIEJIE) | TO2473 | 30 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CRSZ019N10N4Z (CRMICRO) | — |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | NCEP023N10T (NCE) | TO-247-3 | 1 шт |
|  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | |
| A+ | NCEP023N10LL (NCE) | — |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | |||
| A+ | NCEP023N10 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCEP020N10LL (NCE) | — | в ленте 10 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCEP01T30T (NCE) | TO-247-3 |
|  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CRSZ025N10N (CRMICRO) | — |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCEP023N10
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 17.08.2022
Размер: 855.3 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.