NCEP0260

Http://www.ncepower.com NCEP0260,NCEP0260D NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency sw...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2203L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CRTT240N20N (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ CRSQ155N20N3 (CRMICRO)
 
TO-247-3
A+ NCEP02T10D (NCE)
 
TO263 200 шт
 
±
A+ NCEP02T10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP025F90T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP02580F (NCE)
 
TO220F
 
±
A+ NCEP02580D (NCE)
 
TO263 36 шт
 
±
A+ CRSQ113N20N (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт
A+ NCEP02T10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ±
A+ CRSS109N20N (CRMICRO)
 
TO263
 

Файлы 1

показать свернуть
http://www.ncepower.com NCEP0260,NCEP0260D NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and General Features ● VDS =200V,ID =70A RDS(ON)=16.5mΩ , typical @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification TO-220-3L TO-263-2L Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP0260 NCEP0260 TO-220-3L - - - NCEP0260D NCEP0260D TO-263-2L Ø330mm 24mm 800 units Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 70 A ID (100℃) 49 A Pulsed Drain Current IDM 280 A Maximum Power Dissipation PD 285 W 1.9 W/℃ EAS 135 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 0.53 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP0260 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 04.04.2024

Размер: 800.6 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.