CRTT240N20N

CR Micro
CRTT240N20N Trench N-MOSFET 200V, 21mΩ, 65A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS 200V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 21mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 65A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Battery managemen...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IRFBG30PBF

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRFI4227PBF-VB (VBSEMI)
 
— в линейках 50 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE0260 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — — —
P- NCEP0260 (NCE)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- NCEP02T10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 ± — — —
P- WML15N25T2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт — — — — — —
A+ NCEP02T10T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт ± — — —
A+ IRFP4332PBF (JSMICRO)
 

IRFP4332PBF (INFIN) 		TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ CRTS240N20N (CRMICRO)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ CRSQ113N20N (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт — — —
A+ CS82N25AKR-G (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRTT240N20N Trench N-MOSFET 200V, 21mΩ, 65A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS 200V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 21mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 65A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Battery management • UPS (Uninterrupible Power Supplies) Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package CRTT240N20N CRTT240N20N TO-220 Packing Tube Reel Size Tape Width Qty N/A N/A 50pcs Symbol Value Unit VDS 200 V Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) TC = 25°C (Package limit) ID TC = 100°C (Silicon limit) 65 160 A 41 Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) ID pulse 260 A Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=25Ω) EAS 150 mJ Gate-Source voltage VGS ±20 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 278 W Tj , T stg -55...+150 °C Tsold 260 °C Operating junction and storage temperature Soldering temperature, wave soldering only allowed at leads (1.6mm from case for 10s) Rev 1.0 ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRTT240N20N 

CRTT240N20N Datasheet--î9Åþ.xlsx

Дата модификации: 17.01.2022

Размер: 1.52 Мб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    18 марта 2024
    новость

    Новые полевые транзисторы и сборки производства CR MICRO поступили на склад КОМПЭЛ

    Ассортимент продукции, представленной на нашем складе, недавно пополнили транзисторы и сборки MOSFET производства китайской компании China Resources Microelectronics Limited (CR MICRO). Она была основана в 2002 году и является частью огромного... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)