NCEP30T21GU

NCE
NCEP30T21GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP30T21GU uses Super Trench technology that is General Features ●VDS =30V,ID =210A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=0.72mΩ (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=0.85mΩ (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimiz...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
— в ленте 15 шт
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP30T21GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP30T21GU uses Super Trench technology that is General Features ●VDS =30V,ID =210A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=0.72mΩ (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=0.85mΩ (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ●DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and ●Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ●Very low on-resistance RDS(on) ●150°C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification PDFN 5X6-8L Top View Bottom View Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P30T21GU P30T21GU DFN5X6-8L Ø330mm 12mm 5000units Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 210 A ID (100℃) 160 A Pulsed Drain Current IDM 840 A Maximum Power Dissipation PD 180 W 1.44 W/℃ EAS 1800 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 0.69 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V4.0 PDF
Документация на NCEP30T21GU 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 17.03.2023

Размер: 726 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)