NCEP30T21GU
NCEP30T21GU
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET
Description
The NCEP30T21GU uses Super Trench technology that is
General Features
●VDS =30V,ID =210A
uniquely optimized to provide the most efficient high
RDS(ON)=0.72mΩ (typical) @ VGS=10V
frequency switching performance. Both conduction and
RDS(ON)=0.85mΩ (typical) @ VGS=4.5V
switching power losses are minimiz...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | NCEP40T35ALL (NCE) | — | в ленте 15 шт | ± | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCEP30T21GU
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 17.03.2023
Размер: 726 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.