NCEP4065QU

NCEP4065QU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP4065QU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and syn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ NCEP40T13GU (NCE)
 
 
±
A+ NCEP40T11G (NCE)
 
 
±
A+ NCEP4090GU (NCE)
 
 
±
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ CRTM030N04L (CRMICRO)
 
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP4065QU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP4065QU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application for ● VDS =40V,ID =65A RDS(ON)=2.2mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=3.3mΩ (typical) @ VGS=4.5V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● DC/DC Converter ● Ideal General Features high-frequency switching and synchronous ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! rectification DFN 3.3X3.3 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP4065QU NCEP4065QU DFN3.3X3.3-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous (TC=25℃) ID(TC=25℃) 65 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (TC=100℃) 45.5 A Drain Current-Continuous (TA=25℃) ID(TA=25℃) 21.5 A IDM 260 A Maximum Power Dissipation(TC=25℃) PD(TC=25℃) 55 W Maximum Power Dissipation(TA=25℃) PD(TA=25℃) 2.1 W 0.44 W/℃ EAS 500 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 2.3 ℃/W RθJA 60 ℃/W Pulsed Drain Current (Note 1) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Thermal Resistance,Junction-to-Ambient Wuxi NCE Power Co., Ltd (Note 2) Page 1 V3.0 PDF
Документация на NCEP4065QU 

Microsoft Word - NCEP4065QU data sheet1.doc

Дата модификации: 03.08.2021

Размер: 479.9 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.