WMQ032N04LG2

WMQ032N04LG2 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ032N04LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D D D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state S S G G resistance and yet maintain superior switching performance. This S device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN3030-8L Features...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L3X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ JMSH0403AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
A+ CJU110SN04 (JSCJ)
 
TO2522L
 
A+ CJAC90N04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
 
A+ CJAC110SN04 (JSCJ)
 
 
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
±
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CJP140N04 (JSCJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.