NCEP60T20LL

NCE
NCEP60T20LL http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP60T20LL uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and s...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0601ATL-13 (JIEJIE)
 
PGHSOF8 в ленте 2000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP60T20LL http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP60T20LL uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Schematic diagram General Features ● VDS =60V,ID =300A RDS(ON)=1.2mΩ (typical) @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Application TOLL top view ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and synchronous 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! rectification Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP60T20LL NCEP60T20LL TOLL - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 300 A ID (100℃) 225 A Pulsed Drain Current IDM 1200 A Maximum Power Dissipation PD 350 W 2.33 W/℃ EAS 2000 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 0.43 ℃/W Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Electrical Characteristics (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min BVDSS VGS=0V ID=250μA 60 Typ Max Unit - V Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP60T20LL 

Microsoft Word - NCEP60T20LL data sheet.doc

Дата модификации: 17.10.2019

Размер: 339.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)