2SD1664R

Shikues
2SD1664 NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 32 V Emitter Base Voltage Collector Current - DC Collector Current - Pulse 1) VEBO IC ICP 5 1 2 0.5 2 2) V A A Total Power Dissipation Ptot Junction Temperature TJ 150 O TStg - 55 to + 150 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ BCW66H (JSCJ)
 
— в ленте 1200 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ LBSS4240LT1G (LRC)
 
—
 
 — — — — —
A+ LBSS4250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
 — — — — —
A+ D882SSG-P-AE3-R (UTC)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SC4672G-B-AB3-R (UTC)
 
— — — — —
A+ 2SC5569G-AB3-R (UTC)
 
— в ленте 4000 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
2SD1664 NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 OC) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 32 V Emitter Base Voltage Collector Current - DC Collector Current - Pulse 1) VEBO IC ICP 5 1 2 0.5 2 2) V A A Total Power Dissipation Ptot Junction Temperature TJ 150 O TStg - 55 to + 150 O Storage Temperature Range 1) 2) W C C Single pulse, PW = 100 ms. When mounted on a 40 X 40 X 0.7 mm ceramic board. Characteristics at Ta = 25 OC Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit hFE hFE hFE 82 120 180 - 180 270 390 - Collector Base Breakdown Voltage at IC = 50 µA V(BR)CBO 40 - - V Collector Emitter Breakdown Voltage at IC = 1 mA V(BR)CEO 32 - - V Emitter Base Breakdown Voltage at IE = 50 µA V(BR)EBO 5 - - V ICBO - - 0.5 µA IEBO - - 0.5 µA VCE(sat) - - 0.4 V fT - 150 - MHz Cob - 15 - pF DC Current Gain at VCE = 3 V, IC = 100 mA Current Gain Group P Q R Collector Cutoff Current at VCB = 20 V Emitter Cutoff Current at VEB = 4 V Collector Emitter Saturation Voltage at IC = 500 mA, IB = 50 mA Transition Frequency at -IE = 50 mA, VCE = 5 V, f = 100 MHz Output Capacitance at VCB = 10 V, f = 1 MHz REV.08 1 of 3 PDF
Документация на 2SD1664 

Microsoft Word - 2SD1664U

Дата модификации: 07.10.2011

Размер: 543.7 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)