LBSS4240LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors 40V,2A Low VCE(sat) NPN Silicon FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capability • Improved device reliability due to reduced heat generation LBSS4240LT1G S-LBSS4240LT1G • Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged transistors. • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SD1899K (SHIKUES)
 
TO2522L
 
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
A+ 2SD2391 (JSCJ)
 
 
A+ LBSS4250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
A+ LBTN660Z4TZHG (LRC)
 
 
A+ PBSS4350X (YJ)
 
SOT-89 1000 шт
 
A+ PZT1816G-S-AA3-R (UTC)
 
A+ 2SD1624G-T-AB3-R (UTC)
 
A+ 2SD1816L-S-TM3-T (UTC)
 
TO-251-3
 
A+ 2SD1816L-S-TN3-R (UTC)
 
A+ 2SC4672G-B-AB3-R (UTC)
 

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors 40V,2A Low VCE(sat) NPN Silicon FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High current capability • Improved device reliability due to reduced heat generation LBSS4240LT1G S-LBSS4240LT1G • Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged transistors. • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. • S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 3 1 2 SOT– 23 APPLICATIONS • Supply line switching circuits • Battery management applications • DC/DC converter applications COLLECTOR 3 • Strobe flash units • Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers). 1 BASE DESCRIPTION 2 EMITTER NPN low VCEsat transistor in a SOT23 plastic package. PNP complement: LBSS5240LT1G . ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping LBSS4240LT1G S-LBSS4240LT1G ZE 3000/Tape & Reel LBSS4240LT3G S-LBSS4240LT3G ZE 10000/Tape & Reel MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage V CEO 40 V Collector–Base Voltage V CBO 40 V Emitter–Base Voltage V EBO 5.0 V Collector Current — Continuous IC 2 A total power dissipation PD 0.3 W Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature T stg -65 ~+150 °C THERMAL CHARACTERISTICS Symbol Rth(j-a) Parameter thermal resistance from junction to ambient Conditions Value Unit in free air;note 1 417 K/W in free air;note 2 260 K/W Notes: 1.Device mounted on a printed-circuit board,single sided copper,tinplated and standard footprint. 2.Device mounted on a printed-circuit board,single sided copper,tinplated and mounted pad for collector 1 cm.2 Rev.O 1/5 PDF
Документация на LBSS4240LT1G 

a1

Дата модификации: 05.07.2013

Размер: 929.9 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.