BC850C

BC849--BC850 NPN General Purpose Transistors BC849, BC850 Features Low current (max. 100 mA) Low voltage (max. 45 V). REV.08 1 of 2
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC847C (YJ)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847B (JSCJ)
 

BC847B (DIODES)
 
P= BC847C (JSCJ)
 

BC847C (DIODES)
3000 шт
 
A+ BC847 1G (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC847CW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC849C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847C (DC)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ S9014-H (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC847CQ (YJ)
 
в ленте 5 шт
 
A+ BC847C (YOUTAI)
 

BC847C (DIODES)
в ленте 500 шт
 
A+ BC847C (SHIKUES)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ LBC847CLT1G (LRC)
 
SOT-23-3 1 шт
 
A+ LBC850CLT1G (LRC)
 
 
A+ BC847C RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.