BC849C

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
PA BC849C.215 (NEX-NXP) TO236 1 шт
P= BC847CW (YJ) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC849C (NXP) SOT-23-3 1 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 30 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс:...
P= BC849C (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC849CW.135 (NEX-NXP) SC703 500 шт
P= BC849CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC847C (YJ)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC850CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC850CW.135 (NEX-NXP) SC703 в ленте 10000 шт
 
P= BC850B (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC850A (DIOTEC) SOT-23-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC547C (DIOTEC)
BC547C (ONS-FAIR)
TO-92-3 в ленте 4000 шт Биполярный транзистор - [SOT54A] Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC846C (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор -
A+ BC847C (DC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ BC847CT116 (ROHM) SOT-23-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.